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東京大学 物性研究所は29日、次世代磁気メモリとなり得る革新的な材料を発見し、世界初の室温下における反強磁性体での異常ホール効果を観測したと発表した。 磁気メモリ(MRAM: Magnetoresistive Random Access Memory)は、記憶素子に磁性体を使う不揮発性のメモリで、書き込みの速さや消去不要...


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速くて不揮発だけど低密度だった >>
東大、磁気メモリのブレイクスルーを果たす革新的素材を発見。高密度/高速化に期待 マンガンとスズの化合物である「Mn3Sn」を使うことで、室温下において世界で初めてスピンの向きを反対に揃えた反強磁性体で、巨大異常ホール効果の発生に成功
@pc_watch 磁気メモリ(MRAM)は、記憶素子に磁性体を使う不揮発
STT-MRAM との比較はよ
素晴らしいと思うけど日本の場合金儲けの為じゃなく研究の為の研究だからここから先が死ぬほど長いんだよね。
まだ研究すべきはあるけど期待大。
おおーこれは期待できそう! /
これ、デカイ種な感じがする。 /
なんか、大昔の FM-8 用バブルメモリを思い出す。
pc_watchより
磁気メモリの高密度化と高速化を実現できるようになり、メモリの動作原理に関する革新的な進展が望めるとする
よくわからんけど、MRAMがんばれ 〜高密度/高速化可能で廉価な磁気メモリとして期待 - PC Watch
きになりますね(´・_・`) /
おおお???
MRAM最近聞かないからここいらで良い成果を見たいところ -
へえ~なるほどなぁ~(わからん) ■
ReRAMかPCM優勢かと思ったら混沌としてきた
待ち望まれるメモリのブレイクスルーだが /
はよ、これでSSD出してちょんまげ
以上

記事本文: 【やじうまPC Watch】東大、磁気メモリのブレイクスルーを果たす革新的素材を発見 ~高密度/高速化可能で廉価な磁気メモリとして期待 - PC Watch

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74コメント 2015-04-03 14:26 - pc.watch.impress.co.jp

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